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本文標題:"電子顯微鏡分辨率高,但觀察的試樣范圍小"

發布者:yiyi ------ 分類: 行業動態 ------ 人瀏覽過-----時間:2016-3-12 1:31:51

電子顯微鏡分辨率高,但觀察的試樣范圍小

 
形核過程
    再結晶的形核是一個比較復雜的過程,這一過程可能從幾十
個或幾百個原子范圍的微觀尺度開始發生,并常常局限于變形基
體的某些局部。從實驗角度來講,光學顯微鏡的分辨率不夠大,且
不便確定晶粒的取向;而電子顯微鏡分辨率高,但觀察的試樣
范圍又很小。因此,人們難于捕捉到再結晶形核過程的起始行為。
金屬再結晶形核的理論至今還很不完善,尚有不同的理論來描述
這一過程。
經典形核理論
    經典形核理論認為,在變形結構中借助點陣結構的能量起伏
可以形成具有長大能力的核。這電是所謂的均勻形核或自發形核
過程。在這一過程中,一方面由于低位錯密度結構的形成使自由
能降低;另一方面由于生成的新核與基體的界面又使自由能升高。
 
上述分析表明再結晶的形核過程不可能是經典的自發形核過
程,但是經典形核理論提供了一個臨界核尺寸的概念,即再結晶
核必須大于某一尺寸才能自發生長。由于能量起伏實際不能造成
再結晶核,因此,人們不得不設想大于臨界尺寸的再結晶核已存
在于變形基體內。
 
晶界形核(應變誘發晶界移動)
    解釋再結晶形核過程通常要說明再結晶核與變形基體之間是
怎樣形成可動性好的大角度晶界的。變形金屬通常是多晶體,因
此常常會有許多大角度晶界。由于各晶粒取向的差別,當冷變形
量很低時不同取向的晶粒所經受的變形量可能不同,因而它們的
位錯密度會有所差別。一晶界兩側位錯密度的這種差別在一定條
件下會造成該晶界向高位錯密度一側移動。當變形量較高時,則
大角度晶界兩側的位錯密度沒有本質區別,因而不會出現上述驅
使晶界單向移動的驅動力。如果大角度晶界兩側的晶體由于取向
或其它因素的影響,在回復過程中進行了不同的結構調整從而造
成了位錯密度上的差異,則驅使晶界單向移動的驅動力也會因此
    而產生,進而造成了再結晶核的形成。
 

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