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本文標題:"封閉電極結構-硅表面生成一層高質量氧化物"

發布者:yiyi ------ 分類: 行業動態 ------ 人瀏覽過-----時間:2017-4-28 1:30:7

封閉電極結構-硅表面生成一層高質量氧化物

 
    三相電阻海結構:為了封閉電極結構,克服周圍環境的影響,
采取的方法之一是引用硅柵結構。在氧化層上淀積一層連續的高
阻多晶硅,然后對電極區域進行選擇摻雜,形成高阻與低阻相間的
三相電極圖案。電極間互連和焊接區采用蒸發鋁來實現。這種結
構成品率高,性能穩定,不易受到環境溫度的影響,它的缺點是尺
寸較大,僅用于小型陣列器件。
    三相交疊硅柵結構:三相交疊硅柵結構是常用的三相交疊電
極結構形式。它既可使得電極間隙極窄,又能得到封閉的電極結
構。三相交疊電極可以是多晶硅,也可以用金屬鋁,或者二種混
用。先在硅表面生成一層高質量的氧化物,然后沉淀二氧化硅和
一層多晶硅,在多品硅上刻出第一組電極;再進行熱氧化,形成一
層氧化物,而后沉淀多品硅摻雜,并刻出第二組電極,以此類推,做
出三相電極。這是一種被廣泛采用的結構,主要問題是制造工序
較多,而且必須防止層間短路。
 

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