本文標題："透射電子顯微鏡分析巖石的位錯的分布和密度"

透射電子顯微鏡分析巖石的位錯的分布和密度

    有多種方法可以觀察和研究位錯的分布、位錯的密度、
位錯的方向以及確定位錯的性質，主要包括:

    (1)表面法(即浸蝕法):通過化學浸蝕、電浸蝕或熱浸蝕，將暴露于晶體顆粒表面
       的位錯顯示出來。不同類型的位錯，其表現有所差異。
    (2)綴飾法:在透明晶體內以沉淀顆粒綴飾位錯，以顯示位錯的位置。
    (3)透射電子顯微鏡分析:用它可以以極高放大倍率研究從0.1-0.4μm厚度樣品
       中的位錯，這是應用最廣泛的一種技術。
    (4) X射線衍射法:利用X射線散射的局部差異來顯示位錯。
    (5)場離子顯微術:它可以顯示單個原子的位置。
在上述分析方法中，應用透射電子顯微鏡開展的位錯研究最為有效和常用，
廣泛用于觀察位錯及層錯、雙晶、晶界及空洞等其他晶體缺陷。

    透射電子顯微鏡技術主要是利用襯度技術獲得位錯等顯微構造的圖像，
它可以將各種位錯的形態(tài)類型清楚地顯示出來。
同時，還可以用衍射花樣確定人射電子束及被觀察樣品部分的結晶學方位

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