本文標(biāo)題："晶片品質(zhì)檢測雙目立體顯微鏡廠商"

幾乎所有的產(chǎn)品都會(huì)有記憶體元件在晶片中。

如果 我們沒有記憶體相關(guān)的時(shí)序參數(shù)，將會(huì)很難對產(chǎn)品下定規(guī)格。傳統(tǒng)上會(huì)使用測試
機(jī)臺(tái)對記憶體的時(shí)序參數(shù)做量測。然而，一些測試機(jī)臺(tái)的周邊器材，像是探針以
及與晶片之間連接的傳輸線等等，都會(huì)造成一些額外的延遲時(shí)間，這會(huì)導(dǎo)致量測
結(jié)果的誤差。另外，針對系統(tǒng)晶片(system-on-chip)，我們很難直接存取內(nèi)部記憶
體的輸入輸出訊號。因此我們需要一個(gè)內(nèi)嵌式解決方案。

我們提出一種能量測記憶體時(shí)序參數(shù)的架構(gòu)。它能夠量測準(zhǔn)備/保持時(shí)間 (setup/hold
Time) 以及存取時(shí)間(access time)。在準(zhǔn)備/保持時(shí)間的量測，我們使用有效訊號
(valid signal)來使輸入訊號只會(huì)在有效窗口(valid window)中輸入正確的值。我們
可藉由調(diào)整有效窗口與時(shí)脈訊號之間的時(shí)序關(guān)系，來量測出準(zhǔn)備/保持時(shí)間。在
存取時(shí)間量測的部分，我們使用一個(gè)時(shí)間至數(shù)位轉(zhuǎn)換器

 (time-to-digital converter)。它能夠記錄最差情況的結(jié)果，因此我們能夠跑完完整的測試之后，
最后得到最壞情況的存取時(shí)間。我們也針對準(zhǔn)備/保持時(shí)間以及存取時(shí)間的量測
提出校準(zhǔn)方案(calibration scheme)。這份電路完全是以標(biāo)準(zhǔn)元件所組成，因此很
容易轉(zhuǎn)移到期它制程上。我們以TSMC 0.18um 制程來實(shí)現(xiàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示準(zhǔn)備
時(shí)間/保持時(shí)間的誤差在2.4% / 7.5%內(nèi)，存取時(shí)間的誤差在4.4%以內(nèi)。在使用
4096x64 的記憶體時(shí)，僅有6.2%額外面積代價(jià)
 

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晶片品質(zhì)檢測雙目立體顯微鏡廠商,金相顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)

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