本文標(biāo)題："硅片凹曲、光刻膠涂層不勻制版工藝檢測(cè)顯微鏡"
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硅片凹曲、光刻膠涂層不勻制版工藝檢測(cè)顯微鏡
最廣泛使用的制版工藝可獲得比目前使用的光刻膠更高的
分辨率。各批化學(xué)品之間的變化、光刻膠涂層厚度的差異和材
料貯存時(shí)間的長(zhǎng)短都會(huì)引起分辨率的變化。硅片與掩模間距不
平行會(huì)引起分辨率的降低。掩模與硅片的間隔使曝光產(chǎn)生散
射。硅片凹曲、光刻膠涂層不勻、光束不平行或光源強(qiáng)度不勻亦
會(huì)產(chǎn)生同樣的毛病。
光刻工藝的基本原理要求曝光區(qū)的光刻膠應(yīng)完全聚合。但
是粘滯的差異會(huì)引起厚度的變化，這些變化會(huì)導(dǎo)致曝光過(guò)量或
不足。薄的光刻膠涂層易引起側(cè)蝕，而厚的光刻膠涂層在曝光
后的顯影或去膠操作時(shí)則難以去除，同時(shí)還會(huì)引起腐蝕不徹底
或?qū)U(kuò)散工藝的沾污。
光刻膠易失效，故應(yīng)貯存在陰涼處。應(yīng)自始至終使用合適
的新鮮光刻膠。
不同雜質(zhì)含量的玻璃的腐蝕速率亦不同。磷玻璃一般比
硼玻璃的反應(yīng)性更強(qiáng)。玻璃腐蝕速率快慢并存的地方就會(huì)產(chǎn)
生一方面要避免腐蝕不徹底，而另一方面又要盡可能減少側(cè)蝕
的雙重問(wèn)題。基本的酸腐蝕劑一般應(yīng)加以‘緩沖，以獲得可控的、
均勻的腐蝕速率。
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