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本文標題:"高速微電子元件材料的特點-具有高的導熱"

發布者:yiyi ------ 分類: 行業動態 ------ 人瀏覽過-----時間:2013-6-18 5:27:40

 高速微電子元件材料的特點-具有高的導熱

 
隨著半導體高介電材之發展其應用于MOS FET之閘極薄介電層
越越受重視,氮化鋁
 
AlN高介電半導體材具有高能隙的特點且結構穩定具有高的導熱,
 
因此可應用于高速微電子元件之應用,此外由于
氮化鋁對紫外光具有高穿透性因此也有潛可應用于制作紫外光波段
之光偵測器元件,本研究用準分子射濺鍍
AlN薄膜于Si基板上完成一
Al/AlN/Si MIS元件之制作,并研究其光電特性。
本文將介紹準分子射濺鍍
AlN薄膜之基本原及其沉積條件射能對
AlN薄膜表面粗糙之影響,以及用IV 及CV測分析
Al/AlN/Si MIS元件介面之性質,以及其對波長光響應的影響,作為未
發展以Si為基礎之紫外光光偵測元件之考

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